Research of SiC and other wide band gap semiconductor materials  Page description

Help  Print 
Back »
 

Details of project

  
Identifier
35273
Type K
Principal investigator Dózsa, László
Title in Hungarian SiC és más nagy tiltott sávú félvezető anyagok kutatása
Title in English Research of SiC and other wide band gap semiconductor materials
Panel Informatics and Electrical Engineering
Department or equivalent MTA Research Institute for Technical Physics and Materials Science
Participants Lohner, Tivadar
Somogyi, Károly
Szentpáli, Béla
Tóth, Attila Lajos
Vo, Van Tuyen
Starting date 2001-01-01
Closing date 2005-12-31
Funding (in million HUF) 8.119
FTE (full time equivalent) 0.00
state closed project





 

Final report

  
Results in Hungarian
A kutatás során egy magas hőmérsékletű elektromos mérésekre alkalmas mérőrendszert fejlesztettünk és SiC anyag mérésére alkalmas mintakészítési eljárást alakítottunk ki. A berendezés fejlesztését kényszerből végeztük, mert a pályázat költségvetése nem tette lehetővé a mérésre szükséges berendezések beszerzését. A berendezés-fejlesztés pénzügyi és technikai szempontból is nehéz volt, mert a megoldásához sok egyedi feladatot kellett megoldani és összehangolni, limitált költségvetésből. A számítástechnika fejlődése olyan iramú, hogy a mérésvezérlés módját a futamidő alatt meg kellett változtatni. Ebben a munkában továbblépés ezen a területen az lehet, hogy a berendezés megépítésére használt megoldások egy későbbi ipari fejlesztésbe beépülhetnek. A kutatómunka - a berendezés-fejlesztéssel inkább párhuzamosan, mint összhangban - elsősorban különböző III-V és szilícium kvantumszerkezeteken történt. Különböző kvantumszerkezetek elektromos paramétereinek és hibahelyeinek tulajdonságait vizsgáltuk. A mikroszkópia vizsgálatok természetes szükségessége mellett a mért eredmények elméleti értelmezése az, ami lényegesen új megközelítést igényel, mert a vizsgált szerkezetekben jellemző, hogy a klasszikus (makroszkópikus) méretekre levezett összefüggések a mikroszkópikus eszközökön végzett mérések leírására gyakran nem alkalmasak. Ennek egyik alapvető oka lehet, hogy a kvantummechanika mérettartományába eső objektumok leírására a szilárdtestfizikában új modellek kialakítására lesz szükség.
Results in English
A measuring system was developed for measuring high temperature electronic characteristics of devices and a procedure was developed for preparation of samples on SiC for ohmic contacts, Schottky barriers and MOS structures. The measuring system was developed for the reason of shortage of money, since the budget of the project did not allow the buying of a measuring system of this kind. The development was difficult both financial and technical point of view, since several tasks had to be solved and synchronized from a limited budget. The development of the computers is so fast, that the concept of computer control had to be changed during the project. In this development further step might be if some solutions realized in the development can be built in a later industrial development. The research - rather parallel than in harmony with measuring development - mainly was focused on different nanostructures in III-V and silicon quantum structures. Besides the natural need for microscopic investigation on these structures the theoretical interpretation of the measured results requires new approach, since the approximations developed for classical (macroscopic) often fail to explain properly the results measured on microscopic devices. A basic reason of it may be that new models have to be developed for describing the quantum mechanical sized solid phase objects.
Full text http://real.mtak.hu/94/
Decision
Yes





 

List of publications

  
L. Dózsa, Zs,J. Horváth, E. Gombia, R. Mosca, S. Franchi, P. Frigeri, V. Raineri, F. Giannazzo: Instability of the electrical characteristics of GaAs/InAs quantum dot structures, phys. stat. sol (c) 2, 1342-1346, 2005
L. Dózsa, Zs,J. Horváth, E. Gombia, R. Mosca, S. Franchi, P. Frigeri, V. Raineri, F. Giannazzo: Instability of the electrical characteristics of GaAs/InAs quantum dot structures, Abstracts pages 116-117 of 7th International Workshop on Expert evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials&Technologies 1-4 June, 2004- Montpellier, France, 2004
L. Dózsa, G. Molnár, A.L. Tóth, E. Horváth, Z. Osváth,C.A. Dimitriadis, L. Papadimitriou,N. Vouroutzis, E. Paraskevopoulos: Properties of beta-FeSi2 quantum structures grown on silicon, NATO ASI Nanostructured and Advanced Materials pp. 331-334 Springer, 2005
L. Dózsa, B. Szentpáli,D Pasquariello, K Hjort: Wafer Bonding of Microwave Devices, MEMSWAVE Workshop Sinaia, 2001, 2001
L. Dózsa, B. Szentpáli, D Pasquariello, K Hjort: Wafer Bonding of Microwave Devices, Bukarest 2002, ISBN 973027-0908-1, 2002
L. Dózsa, ZsJ Horváth, P Hubik, J Kristofik, J J Mares, E. Gombia, R. Mosca, S. Franchi, B Pécz: Investigation of defects created by growth of InAs quantum dots in GaAs, Phys stat. sol c. 2003, No. 3, 2003
L. Dózsa, Zs J. Horváth OH. Krafcsik, Gy Vida., P Deák, T Mohácsy: Epitaxial SiC nanocrystals at the Si/SiO2 interface: electrrical behaviour, International Conference �Micro- and Nanoelectronics-2003� Oct 6-10, 2003, Moscow-Zvenigorod, Russia, 2003
Zs J Horváth, L Dózsa, O. H. Krafcsik, T. Mohácsy, Gy Vida, and P. Deák: Behaviour of Al/SiO2/Si structures with SiC nanocrystals, ICFSI-9 Madrid September 15-19, 2003
Zs J Horváth, L Dózsa, O. H. Krafcsik, T. Mohácsy, Gy Vida, and P. Deák: Behaviour of Al/SiO2/Si structures with SiC nanocrystals, Applied Surface Science 254, 67-71 (2004), 2004
L. Dózsa: New approach to Capacitance studies of DX centers, Defect and Diffusion Forum 221-23 pp.11-22, 2003
L. Dózsa, A.L. Tóth, ZsJ Horváth, P. Hubik, J. Kristofik, JJ Mares, E Gombia, R. Mosca, S. Franchi, and P. Frigeri: Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures., DRIP-X Batz-sur-mer, Sept. 29-Oct, 2, 2003,, 2003
L. Dózsa, A.L. Tóth, ZsJ Horváth, P. Hubik, J. Kristofik, JJ Mares, E Gombia, R. Mosca, S. Franchi, and P. Frigeri: Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures., European Physical Journal, Applied Physics, 27, 93-95, 2004
L. Dózsa, G. Molnár, ZsJ Horváth, AL Tóth, J. Gyulai, V. Raineri, and F. Giannazzo: Investigation of the morpholgy and electrical characteristics of FeSi2 quantum dots in silicon, ICFSI-9 Madrid September 15-19, 2003
L. Dózsa, G. Molnár, ZsJ Horváth, AL Tóth, J. Gyulai, V. Raineri, and F. Giannazzo: Investigation of the morpholgy and electrical characteristics of FeSi2 quantum dots in silicon, Applied Surface Science 234,60-66 (2004), 2004
L. Dózsa, E. Horváth, G. Molnár, A.L. Tóth, Z. Vértesy, E. Vázsonyi, and G. Pető: Characteristics of FeSi2 quantum dots on silicon, DRIP-X Batz-sur-mer, Sept. 29-Oct, 2, 2003,, 2003
L. Dózsa, E. Horváth, G. Molnár, A.L. Tóth, Z. Vértesy, E. Vázsonyi, and G. Pető: Characteristics of FeSi2 quantum dots on silicon, European Physical Journal, Applied Physics 27, 85-88 (2004), 2004
L. Dózsa, G. Molnár, A.L. Tóth, E. Horváth, Z. Vértesy, C.A. Dimitriadis, L. Papadimitriou, N. Vouroutzis, E. Paraskevopoulos: Morphological, optical and electric properties of beta-FeSi2/n-Si structures, Abstracts of Conference Silicon 2004 , July 5-9, 2004 Irkutszk page 112, 2004
L. Dózsa. O.H. Krafcsik, A. Pongrácz, P. Deák: Point defects in MOS structures with SiC nanocrystals, Abstracts of Conference Silicon 2004 , July 5-9, 2004 Irkutszk, page 191, 2004
L. Dózsa, G. Molnár, A.L. Tóth, E. Horváth, Z. Osváth,C.A. Dimitriadis, L. Papadimitriou,N. Vouroutzis, E. Paraskevopoulos: Properties of beta-FeSi2 quantum structures grown on silicon, NATO Advanced Study Institute on Nanostructured and Advanced Materials for Applications in Sensors, Optoelectronic and Photovoltaic Technology, September 6-17, 2004 Sozop, 2004
Zs.J. Horváth, M. Ádám, K. Jarrendahl, Gy. Vida, L.K. Orlov, J. Balázs, L. Dózsa et al: Electrical pecularities in Si based low dimensional structures, Proccedings of Engineering aspects of nanomaterials and technologies ed. E. Czoboly, pp. 253-263, 2005
Zs.J. Horváth: Electrical peculiarities in GaAs and Si based low dimensional structures, Current Applied Physics6, pp. 205-211, 2006
Zs.J. Horváth: Semiconductor nanocrystals in dielectris: Optoelectronic and memory application of related silicon-based MIS structures, Current Applied Physics 6, pp. 145-148, 2006
L. Dózsa, P. Hubik, A.l. Tóth, A. Pongrácz, E. Hulicius, A.A. Koós, J. Oswald: Orange-peel effect in InGaAs/GaAs quantum well structures, SEMINANO2005 , Semiconductor nanocrystals Vol.1 pp.127-130 Sept. 10-12, Budapest, Hungary ISBN 963 7371 19 2, 2005
Zs.J. Horváth: Semiconductor nanocrystals in dielectrics: Memory applications of related Si based metal-insulator-semiconductor devices, Proccedings of Engineering aspects of nanomaterials and technologies ed. E. Czoboly, pp. 81-85, 2005



Back »