Ortelius classification: Physics of semiconductors
Panel
Informatics and Electrical Engineering
Department or equivalent
MTA Research Institute for Technical Physics and Materials Science
Participants
Baji, Zsófia Basa, Péter Battistig, Gábor Csík, Attila Czigány, Zsolt Dücső, Csaba Horváth, Zsolt József Kövér, László Lábadi, Zoltán Menyhárd, Miklós Mizsei, János Molnár, György Németh, Ágoston Plesz, Balázs Rakovics, Vilmos Simon, Alíz Szentpáli, Béla Timárné Horváth, Veronika Vad, Kálmán Zolnai, Zsolt
Starting date
2008-04-01
Closing date
2012-05-31
Funding (in million HUF)
50.294
FTE (full time equivalent)
25.25
state
closed project
Summary in Hungarian
Ez a hároméves célorientált nagy kutatási projekt egy szokatlanul összetett alapkutatást jelent atomi szinten lejátszódó fizikai és kémiai alapfolyamatok megválaszolására többkommponensű félvezető vékonyréteg rendszerek növesztése során, melyek nagy hatásfokú vékonyréteg fotovoltaikus eszközök abszorber rétegét alkotják. Egy ilyen program azáltal válik lehetővé, hogy az MFA-ban rendelkezésre áll egy 1,5 M€ értékű unikális, dedikált nagyvákuum infrastruktúra. A tervezett kísérleti munka része egy új nanopreparációs eljárás kifejlesztése az abszorber és az ablak-réteg közötti sávszerkezeti illesztést megvalósító ún. puffer-réteg előállítására atomi rétegleválasztással (ALD).
Mindezek megalapozzák a 4 intézet kilenc kutatócsoportjából delegált 19 résztvevő kutatóval (köztük három fiatal posztdoktor és 3 PhD hallgató) tervezett projektet és a kért támogatás összegét. A program a részvevő csoportok teljes analitikai és karakterizációs hátterével számol.
A kutatás eredményeként a napenergia-átalakító eszköz integrális részét képező félvezető funkcionális rétegek esetében magyarázatot adunk az összetétel – szerkezet – tulajdonság összefüggésre a leválasztási körülmények függvényében. Ez az alapvető, nanoskálán zajló folyamatok megértésén felül magában foglalja a jelenségek hatását a fotovoltaikus szerkezet optikai/elektromos viselkedésére is.
Summary
This three year targeted-type large research project aims at the realisation of an unusually complex fundamental approach elucidating the basic physical and chemical phenomena on atomic level in the growth of a multi-component semiconductor layer structure, which acts as the absorber layer of a high efficiency thin-film photovoltaic device. Such a program is made possible by the accessibility of the unique, dedicated preparatory infrastructure of the value of 1.5 M€ installed at MFA. Part of the planned experimental effort is the introduction of a dry nano-preparation of appropriate bandgap-matching buffer layer between the absorber- and window layers by Atomic Layer Deposition.
All this justifies the concerted action of 19 research participants (among them 3 young postdocs, 3 PhD students) from 9 research groups of complementary skills in four institutions and the requested grant. The program builds upon the use of the analytical and characterisation facilities of the participating groups.
The project will provide an explanation of the interplay of composition - structure - properties of the functional semiconductor layers as integral part of a solar energy conversion device. This implies beyond the understanding of fundamental nano-phenomena in the layer structure also the interpretation of their effect on the optical/electrical performance of the PV structure.
