transmission electron microscopy, GaN, diamond, HEMT transistoir structure, graphene
megadott besorolás
Anyagtudomány és Technológia (elektronika) (Műszaki és Természettudományok Kollégiuma)
40 %
Elektronikus Eszközök és Technológiák (Műszaki és Természettudományok Kollégiuma)
40 %
Anyagtudomány és Technológia (fizika) (Műszaki és Természettudományok Kollégiuma)
20 %
Ortelius tudományág: Mikrotechnológia
zsűri
Informatikai–Villamosmérnöki
Kutatóhely
Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézet (HUN-REN Természettudományi Kutatóközpont)
résztvevők
Baji Zsófia Barna Árpád Dobos László Lábadi Zoltán Lábár János Radnóczi György Radnóczi György Zoltán Tóth Lajos
projekt kezdete
2014-01-01
projekt vége
2017-12-31
aktuális összeg (MFt)
5.290
FTE (kutatóév egyenérték)
13.60
állapot
lezárult projekt
magyar összefoglaló
A kutatás összefoglalója, célkitűzései szakemberek számára Itt írja le a kutatás fő célkitűzéseit a témában jártas szakember számára. Jelen pályázatunk célja széles tiltottsávú félvezető anyagok rétegeinek növesztése és vizsgálata. Kutatásunk célja, hogy megértsük és szabályozni tudjuk a rétegek növekedési folyamatait. A hibaszerkezet, a morfológia, a szennyezők közti összefüggések megértése alapkutatás, ami az OTKA támogatási célja, ugyanakkor a téma a jövőben jobb félvezető eszközöket is eredményezhet. Kutatási tervünk felöleli a kristályos ZnO növesztését egykristály hordozókra (zafír, Si, SiC, GaN és gyémánt). Meghatározzuk az orientált, egykristály rétegek növesztéséhez szükséges optimális paramétereket. A kísérletek egyben p/n átmeneteket is adnak, ha a növesztést p-típusú hordozón végezzük. Nitrid rétegek növesztése egykristály gyémánton olyan rétegszerkezeteket fog nyújtani, amelyekből nagyteljesítményű tranzisztorok készíthetők és ezek hőelvezetése is megoldott a gyémánt által. Mikroszkópiával meghatározzuk melyik a legkedvezőbb gyémánt orientáció, amelyen növesztett nitrid rétegekben a hibasűrűség a legalacsonyabb. Ezen kísérleteket polikristályos, nagy átmérőjű gyémánt szeleteken is megismételjük. Grafént, mint egy speciális maszkoló réteget fogunk használni SiC-on, hogy azon a nitrid rétegek ELO (Epitaxial Lateral Growth) növekedését érjük el. Grafént, mint egy diffúziós barriert alkalmazzuk az egyébként reaktív kontaktusokban SiC-don. Tanulmányozzuk a ternér nitrid rétegek növekedési mechanizmusát és meghatározzuk azokat a paramétereket, amelyek mellett ezek kétkomponensű szuperrácsokká alakulhatnak.
Mi a kutatás alapkérdése? Ebben a részben írja le röviden, hogy mi a kutatás segítségével megválaszolni kívánt probléma, mi a kutatás kiinduló hipotézise, milyen kérdéseket válaszolnak meg a kísérletek. Kutatásunk alapkérdése, hogy hogyan tudunk újszerű rétegszerkezeteket növeszteni, amik aztán félvezető eszközökben az eddigieknél jobb paramétereket és hosszabb élettartamot mutatnak. A projekt egyik kiinduló hipotézise, hogy p/n átmenet készíthető ZnO-ból és a megfelelően adalékolt hordozóból. Ugyancsak feltesszük, hogy jó minőségű GaN rétegek növeszthetők a nagyon jó hővezetéssel rendelkező gyémánton és, hogy a két anyag kombinációja megoldhatja az igen nagy teljesítményű GaN alapú tranzisztorok hő disszipációját. Megpróbáljuk a grafént egy sajátos barrier anyagként használni. Meg kívánjuk határozni, hogy az ALD ZnO rétegek minőségét mely leválasztási paraméterek befolyásolják, hogyan és optimalizálni fogjuk ezeket. Tanulmányozunk ternér nitrid rétegeket, amikben arra vagyunk kíváncsiak, hogy milyen paraméterek mellett lehetséges az alkotók kétkomponensű szétválása és hogyan kaphatunk szuperrács rétegeket önszervező módon.
Mi a kutatás jelentősége? Röviden írja le, milyen új perspektívát nyitnak az alapkutatásban az elért eredmények, milyen társadalmi hasznosíthatóságnak teremtik meg a tudományos alapját. Mutassa be, hogy a megpályázott kutatási területen lévő hazai és a nemzetközi versenytársaihoz képest melyek az egyediségei és erősségei a pályázatának! A tervezett kutatással új ismereteket szerezhetünk a félvezető anyagok nanométer skálájú növekedéséről. Az utóbbi időben az alapkutatási eredmények hasznosítása ezen a területen igen felgyorsult. A karakterizációs technikák forradalmai megújulása (pl. Cs korrigált TEM) hathatósan támogatta ezt a folyamatot. Az ALD egy egyszerű és igen megbízható technika, melyet elsősorban amorf és polikristályos bevonatok készítésére fejlesztettek ki. Mi egykristály ZnO réteget szeretnénk készíteni vele. Ez nyilván hasznosítható lenne főleg az optoelektronika terén. A nitrid rétegek maszk feletti oldalirányú növesztése (ELO) ma már jól ismert és bevált módszer. A nemrég felfedezett grafén ebben való felhasználása több hasznot is ígér. Mivel a grafén egy diffúziós barrier anyag, ezért a SiC reaktív kontaktusaiban való felhasználása is igen ígéretes. Mára tudjuk, hoyg egykristály gyémánton jó minőségű GaN növeszthető. Amennyiben ez a sokkal olcsóbb és 2”-es szeletekben is elérhető polikristályos gyémánton is megvalósítható, akkor ez reális felhasználást eredményezhet. Nagyon sok III-V nitrid félvezetőben növesztenek kifinomult módszerekkel multirétegeket (szuperrácsokat). Ha sikerül ternér rétegek növesztését olyan paraméterek mellett végrehajtanunk, hogy azok kétkomponensű rétegekké váljanak szét önszerveződő módon, akkor ez a félvezető rétegszerkezetek elkészítésében hozhat nagy előrelépést. Jelen kutatás a fentiek értelmében új szerkezeteket eredményezne, amelyek ipari alkalmazási lehetősége világosan látható.
A kutatás összefoglalója, célkitűzései laikusok számára Ebben a fejezetben írja le a kutatás fő célkitűzéseit alapműveltséggel rendelkező laikusok számára. Ez az összefoglaló a döntéshozók, a média, illetve az érdeklődők tájékoztatása szempontjából különösen fontos az NKFI Hivatal számára. Terveinkben szerepel a ZnO előállítása egyszerű módszerekkel jó minőségű réteg formájában különböző hordozókon, lehetőleg egykristály rétegként optoelektronikai alkalmazások céljára. A gyémánt extrém hővezetését fogjuk kihasználni az arra növesztett félvezető eszközökben. Tesztelni akarjuk a grafént, úgyis mint a nitrid félvezető rétegek növekedését befolyásoló eszközt a hordozón és úgyis, mint a nagyteljesítményű SiC alapú eszközök kontaktusainak elemét. Önszerveződő módon kialakuló szuperrácsokat fogunk vizsgálni. Az előállított eszközök nanoszerkezetét transzmissziós elektronmikroszkópiával fogjuk vizsgálni atomi felbontású képekkel és nanométeres skálájú elemeloszlási térképekkel.
angol összefoglaló
Summary of the research and its aims for experts Describe the major aims of the research for experts. The subject of the present proposal is the growth and characterisation of layered wide bandgap semiconductor materials. Our goal is to understand and influence the layer growth mechanism. The deep understanding of the relationship between the defect structure, morphology, possible contaminations etc. is in the scope of OTKA, what supports basic science, but in the same time with this background to future device development can result in better devices. Our experiments include the deposition of highly crystalline ZnO layers onto single crystalline substrates like sapphire, Si, SiC, GaN and diamond. We would like to determine the optimum parameters to get oriented, preferably single crystalline layers on the substrates. This also provides a way to make p/n junctions when the substrate has p-type doping. Nitride layers will be grown on diamond and the high quality, single crystalline nitride will provide high power transistor structures for which the good heat dissipation is supported by the diamond substrate. Our microscopy will determine what is the most appropriate diamond orientation, which are the growth parameters at which the lowest number of defects are formed in the nitride layers. These experiments will be repeated on large polycrystalline diamond wafers as well. Graphene will be used as a special masking layer on SiC in order to achieve epitaxial lateral overgrowth of nitrides on SiC. We also will apply graphene as a diffusion barrier layer in the otherwise reactive high temperature contacts to SiC. Growth of ternary nitrides will be studied and parameters will be determined at which the ternary layers can separate into superlattices of binary layers.
What is the major research question? Describe here briefly the problem to be solved by the research, the starting hypothesis, and the questions addressed by the experiments. The basic question of our research is how we can grow novel layers, which can provide semiconductor device structures with improved parameters and longer lifetime. One of the starting idea of the project is that it is possible to make p/n junctions from ZnO deposited onto substrate doped for p-type. We also suppose, that high quality GaN layers can be grown on diamond, which has very high heat conductivity and the combination of the two material can solve the heat dissipation problem of high power GaN based transistors. We will try to use graphene as a special barrier material. We would like to determine the parameters which influence the quality of the grown ZnO and we will optimise them. We will study ternary layers and figure out how these can separate to binary layers of the components and how we can get superlattices in a self-organised way.
What is the significance of the research? Describe the new perspectives opened by the results achieved, including the scientific basics of potential societal applications. Please describe the unique strengths of your proposal in comparison to your domestic and international competitors in the given field. The planned research will extend our knowledge about semiconductor crystal growth on the nanometer scale. Recently the application of basic science results is very fast, new methods and materials spread quickly. The characterization techniques appeared in the last couple of years (for example Cs corrected TEM) supports this very effectively. ALD is a simple and reliable process to grow uniform, what was developed first for the deposition of amorphous and polycrystalline coatings. We are going to deposit single crystalline ZnO layers using ALD. The application area of those layers is clear in the field of optoelectronics. ELO growth of nitrides is already well known and widely used technique. Recently we learned that graphene seems to inhibit epitaxial growth of nitrides and these results suggest using graphene as a masking material in the ELO process on SiC substrates. Graphene, as adiffusion barrier can be also very useful in the presently known reactive contacts to SiC. Today we know that it is possible to grow high quality GaN on single crystalline diamond. In the case this can be realised on much cheaper 2” large polycrystalline wafers of diamond as well, then this can result in a real application. Multilayers (superlattices) are grown in many III-V nitride semiconductors using sophisticated techniques. In the case we could grow ternary layers in a way that those would separate into the binary layers of the components then we could make a substantial step in the growth of semiconductor layers. The above described research will provide new structures, which clearly promises industrial applications.
Summary and aims of the research for the public Describe here the major aims of the research for an audience with average background information. This summary is especially important for NRDI Office in order to inform decision-makers, media, and others. We plan to grow ZnO layers on different substrates to obtain high quality, preferably single-crystaline layers for optoelectronic applications. We will grow wide bandgap semiconductors on diamond to make use of diamonds extreme heat conductivity in high power devices. We will test graphene as a substrate modification layer for III-nitride growth and as a component of electric contact layers in high power SiC based semiconductor devices. We will investigate self organizing III-nitride multilayer structures. The nanostructure of the layers/devices will be characterised by transmission electron microscopy with images at the atomic resolution and with nanometer scale elemental maps.
