Charge dynamics in nanostructures  Page description

Help  Print 
Back »

 

Details of project

 
Identifier
112918
Type K
Principal investigator MIHÁLY, György
Title in Hungarian Töltésdinamika nanoszerkezetekben
Title in English Charge dynamics in nanostructures
Keywords in Hungarian nanoszerkezet, memrisztor, grafén, spin-injektálás, szupravezető korrelációk
Keywords in English nanostructure, memristor, graphene, spin-injeczion, superconducting correlations
Discipline
Physics (Council of Physical Sciences)100 %
Ortelius classification: Electronic, magnetic and superconductive properties
Panel Physics
Department or equivalent Department of Physics (Budapest University of Technology and Economics)
Participants Balogh, Zoltán
Csonka, Szabolcs
Csontos, Miklós
Fülöp, Gergő
Geresdi, Attila
Gubicza, Ágnes
Halbritter, András
Magyarkuti, András
Makk, Péter
Márton, Attila
Pósa, László
Scherübl, Zoltán
Tóvári, Endre
Starting date 2015-01-01
Closing date 2018-08-31
Funding (in million HUF) 73.613
FTE (full time equivalent) 24.45
state running project





 

Final report

 
Results in Hungarian
A pályázat korábbi OTKA tudományos iskola pályázatokból finanszírozott kísérleti tudományos iskola folytatását célozta meg. A projekt központi témája két modern anyagcsalád, grafén és memrisztív anyagok vizsgálata. Mindkét területen számos tudományos eredményt értünk el, melyeket összesen 14 nemzetközi folyóiratcikkben publikáltunk (a közlemények átlagos impakt faktora >6). Eredményeink közül kiemelnénk a grafén nanorés eszközök fejlesztését; grafén-SiOx-grafén rezisztív kapcsoló memóriaegységek komplex kapcsolási dinamikájának feltérképezését; számos további rezisztív kapcsoló memóriarendszer vizsgálatát; mágneses tér által bezárt grafén kvantum pöttyök fejlesztését; rendezetlenség-mentes grafén kvantum Hall élállapotok demonstrálását; a különböző hordozók nagymobilitású grafén eszközökre gyakorolt hatásának vizsgálatát; és a pár atomi vastagságú hBN rétegek “csendes szigetelőként” való alkalmazását különböző kvantumáramkörökben. A tudományos eredményeken túl a pályázat számos hallgató munkáját segítette, a projekthez kapcsolódóan 3 PhD, 9 BSc és 4 TDK dolgozat született, és további 3PhD és 7 MSc munka folyamatban van.
Results in English
This project targeted the continuation of an experimental scientific school previously funded by consecutive OTKA scientific school grants. The study of two novel material systems -graphene and memristive materials – was chosen as the central focus of this project. In both fields several scientific results were achieved, which were announced in 14 international publications with an average impact factor above 6. These results include the development and characterization of graphene nanogap devices; the study of the complex temporal dynamics in graphene-SiOx-graphene resistive switching units; the detailed investigation of further resistive switching memory systems; the proof of principle demonstration of magnetic field confined quantum dots and disorder-free quantum Hall edge channels in graphene; the effect of different substrates on high mobility graphene devices; and the use of a few atomic layer hBN as a silent insulator in various quantum circuits. Additionally, this project has supported the scientific work of many students: altogether 3 PhD, 9 BSc and 4 TDK theses were prepared along the project, and further 3 PhD and 7 MSc works are presently in progress.
Full text https://www.otka-palyazat.hu/download.php?type=zarobeszamolo&projektid=112918
Decision
Yes





 

List of publications

 
E. Tóvári, P. Makk, M.-H. Liu, P. Rickhaus, Z. Kovács-Krausz, K. Richter, C. Schönenberger, S. Csonka: Gate-controlled conductance enhancement from quantum Hall channels along graphene p-n junctions, NANOSCALE 8, 19910, 2016
Z. Scherübl, G. Fülöp, M. H. Madsen, J. Nygård, S. Csonka: Electrical tuning of Rashba spin-orbit interaction in multigated InAs nanowires, PHYSICAL REVIEW B 94:(3) Paper 035444. 8 p., 2016
G. Fülöp, S. d'Hollosy, L. Hofstetter, A. Baumgartner, J. Nygård, C. Schönenberger, S. Csonka: Wet etch methods for InAs nanowire patterning and self-aligned electrical contacts, NANOTECHNOLOGY 27, Paper 195302 (2016), 2016
Pósa L, El Abbassi M, Makk P, Sánta B, Nef C, Csontos M, Calame M, and Halbritter A: Multiple Physical Time Scales and Dead Time Rule in Few-Nanometers Sized Graphene–SiOx-Graphene Memristor, Nano Lett. 17: pp. 6783-6789, 2017
El Abbassi M, Pósa L, Makk P, Nef C, Thodkar K, Halbritter A, and Calame M: From electroburning to sublimation: substrate and environmental effects in the electrical breakdown process of monolayer graphene, NANOSCALE 9: pp. 17312-17317, 2017
El Abbassi M, Pósa L, Makk P, Nef C, Thodkar K, Halbritter A, and Calame M: From electroburning to sublimation: substrate and environmental effects in the electrical breakdown process of monolayer graphene, NANOSCALE 9: pp. 17312-17317, 2017
B. Fülöp, Z. Tajkov, J. Pető, P. Kun, J. Koltai, L. Oroszlány, E. Tóvári, H. Murakawa, Y. Tokura, S. Bordács, L. Tapasztó, S. Csonka: Exfoliation of single layer BiTeI flakes, 2D Materials 5, 031013, 2018
S. Zihlmann, A.W. Cummings, J. H. Garcia, M. Kedves, K. Watanabe, T. Taniguchi, C. Schönenberger, and P. Makk: Large spin relaxation anisotropy and valley-Zeeman spin-orbit coupling in WSe2/graphene/h-BN heterostructures, Physical Reiwe B 97, 075434, 2018
D.I. Indolese, R. Delagrange, P. Makk, J.R. Wallbank, K. Wanatabe, T. Taniguchi, C. Schönenberger: Signatures of van Hove singularities probed by the supercurrent in a graphene - hBN superlattice accepted, Phys. Rev. Lett. 121,137701, 2018
A Gubicza, D Zs Manrique, L Pósa, C J Lambert, G Mihály, M Csontos, A Halbritter: Asymmetry-induced resistive switching in Ag-Ag2S-Ag memristors enabling a simplified atomic-scale memory design, SCIENTIFIC REPORTS 6: Paper 30775. 9 p., 2016
C. Handschin, B. Fülöp, P. Makk, S. Blanter, M. Weiss, K. Watanabe, T. Taniguchi, Sz. Csonka, C. Schönenberger: Point contacts in encapsulated graphene, APPLIED PHYSICS LETTERS 107:(18) Paper 183108, 2015
Á. Gubicza, M. Csontos, A. Halbritter, G Mihály: Non-exponential resistive switching in Ag2S memristors: a key to nanometer-scale non-volatile memory devices, NANOSCALE 7:(10) pp. 4394-4399, 2015
Á. Gubicza, M. Csontos, A. Halbritter, G. Mihály: Resistive switching in metallic Ag2S memristors due to a local overheating induced phase transition, NANOSCALE 7: pp. 11248-11254, 2015
E. Tóvári, P. Makk, P. Rickhaus, C. Schönenberger, S. Csonka: Signatures of single quantum dots in graphene nanoribbons within the quantum Hall regime, Nanoscale, submitted, arXiv:1601.01628, 2016
Á. Gubicza, M. Csontos, A. Halbritter, G Mihály: Non-exponential resistive switching in Ag2S memristors: a key to nanometer-scale non-volatile memory devices, NANOSCALE 7:(10) pp. 4394-4399, 2015
Á. Gubicza, M. Csontos, A. Halbritter, G. Mihály: Resistive switching in metallic Ag2S memristors due to a local overheating induced phase transition, NANOSCALE 7: pp. 11248-11254, 2015
E. Tóvári, P. Makk, P. Rickhaus, C. Schönenberger, S. Csonka: Signatures of single quantum dots in graphene nanoribbons within the quantum Hall regime, NANOSCALE 8, 11480-11486, 2016
Halbritter A, Geresdi A, Mihaly G: Spin polarized transport as measured by superconducting Andreev spectroscopy, FRONT NANOSCI NANOTECH 2: (6) 1-8, 2016





 

Events of the project

 
2017-12-18 22:41:14
Résztvevők változása
2016-11-03 15:33:14
Résztvevők változása




Back »