Resonant Raman spectroscopy in novel two-dimensional materials

Help

Back »

Details of project

Identifier

115608

Type

Principal investigator

Kürti, Jenő

Title in Hungarian

Kétdimenziós, új típusú anyagok rezonancia-Raman-spektroszkópiája

Title in English

Resonant Raman spectroscopy in novel two-dimensional materials

Keywords in Hungarian

szilicén, germanén, germanán, foszforén, grafén, Raman, DFT

Keywords in English

silicene, germanene, germanane, phosphorene, graphene, Raman, DFT

Discipline

Physics (Council of Physical Sciences)	100 %
Ortelius classification: Optical and dielectric properties

Panel

Physics

Department or equivalent

Department of Biological Physics (Eötvös Loránd University)

Participants

Barcza, Gergely
Cserti, József
Gyimesi, Bálint
Koltai, János
Kukucska, Gergő
László, István
Oroszlány, László
Zólyomi, Viktor

Starting date

2016-02-01

Closing date

2021-07-31

Funding (in million HUF)

20.430

FTE (full time equivalent)

16.40

state

closed project

Summary in Hungarian

A kutatás összefoglalója, célkitűzései szakemberek számára
Itt írja le a kutatás fő célkitűzéseit a témában jártas szakember számára.
Az elmúlt években több új grafénszerű anyagot fedeztek föl: szilicén, germanén, germanán és foszforén. A szilicén és a germanén hasonló a grafénhez, egy fontos különbséggel: a grafén atomi simaságú hatszöges méhsejt szerkezettel rendelkezik, míg a szilicén és a germanén esetében az atomok két, egymástól kicsit különböző síkban helyezkednek el. Ezen különbség ellenére a szilicénben és a germanénben az elektronenergiák sávszerkezete hasonló a grafénéhez. Mindegyikük lineáris diszperzióval rendelkezik a Fermi-szintnél, csak a Fermi-sebességek különbözőek. Ez a hasonlóság azt sugallja, hogy a Raman-spektroszkópia, a grafénhez hasonlóan, a szilicénre és a germanénre is az egyik leghatásosabb vizsgálati módszer lesz. Ugyanakkor a germanán (a germanén hidrogénezett változata) és a foszforén félvezetők, mérsékelt tiltott sávszélességgel. Mindazonáltal a Raman-spektroszkópia másfajta fontos információkat nyújt ezen anyagoknál is, ezáltal javítva kontrollált előállításukat.

Célunk az, hogy ezen anyagok alapvető tulajdonságait minél tisztábban megértsük. Ezen anyagok Raman-spektrumainak gondos elméleti tanulmányozása különösen hasznos információkat nyújt a tudományos közösségnek, további kísérleti kutatásokat stimulálva és felkeltve a nanoelektronikai ipar érdeklődését.

Mi a kutatás alapkérdése?
Ebben a részben írja le röviden, hogy mi a kutatás segítségével megválaszolni kívánt probléma, mi a kutatás kiinduló hipotézise, milyen kérdéseket válaszolnak meg a kísérletek.
A pályázatunkban leírt kutatás alapkérdése az, hogy milyen információk nyerhetők Raman-spektroszkópia segítségével a grafénszerű új típusú kétdimenziós anyagok tulajdonságairól, melyek lényegesek lehetnek a jövőbeli elektronikai és optikai alkalmazások szempontjából. Grafénra közismert mennyire hasznos információkat tud nyújtani a Raman-spektroszkópia, például: a hibahelyek jellege és koncentrációja, a rétegek száma, az egytengelyű mechanikai feszültség iránya és nagysága.
Azt gondoljuk, hogy hasonló várható a részletes kutatási tervben felsorolt anyagokra is.

Első elvű számításokkal és hozzájuk illesztett modellszámolásokkal a következő konkrét kérdésekre keressük a választ:
- Milyen a szilicén, germanén, germanán és foszforén nem-rezonáns és rezonáns Raman-spektruma?
- Milyen szerepe van ezekben az anyagokban a magasabb rendű Raman-folyamatoknak?
- Hogyan módosul a Raman-spektrum ha a kétdimenziós atomi rétegek száma nő?
- Hogyan befolyásolják a Raman-spektrumot a hibahelyek?
- Hogyan befolyásolják a Raman-spektrumot a mintában lévő mechanikai feszültségek?

Mi a kutatás jelentősége?
Röviden írja le, milyen új perspektívát nyitnak az alapkutatásban az elért eredmények, milyen társadalmi hasznosíthatóságnak teremtik meg a tudományos alapját. Mutassa be, hogy a megpályázott kutatási területen lévő hazai és a nemzetközi versenytársaihoz képest melyek az egyediségei és erősségei a pályázatának!
A kutatási tervben szereplő grafénszerű kétdimenziós anyagok mindegyike igen ígéretes a nanoelektronikai és nanooptikai alkalmazások szempontjából. Ahhoz, hogy ez valóra válhasson elengedhetetlenül szükséges ezen anyagok tulajdonságainak alapos elméleti és kísérleti vizsgálata.

A Raman-spektroszkópia különösen fontos, roncsolásmentes vizsgálati módszer az alacsonydimenziós anyagok kutatásában. A rezonancia effektusok miatt nemcsak a rezgési-, hanem az elektronszerkezetről is nyújt információt. Különösen igaz ez azon sávok esetében, amelyek magasabb rendű Raman-folyamatok eredményeként jönnek létre. Ilyenkor nemcsak a sáv intenzitása változik a gerjesztő lézerenergia változtatásával (gerjesztési profil), hanem a sáv helye is csúszik (diszperzió). Ennek oka, hogy a magasabb rendű folyamatokban nem nulla hullámszámú fononok is lényeges szerepet játszanak. Ezen sávok helyét illetve intenzitását nagymértékben meghatározza az ún. kettős rezonancia erősítés illetve az elektron-fonon csatolás.

Csoportunk az elmúlt másfél évtizedben elismert eredményeket ért el szén nanocsövek illetve a grafén Raman-spektrumának elméleti vizsgálatában. Az eddig alkalmazott módszereinket szeretnénk továbbfejleszteni és alkalmazni az új típusú kétdimenziós anyagok Raman-spektrumainak értelmezésére is. Ehhez első elvű és ahhoz illesztett paraméterekkel rendelkező szoros kötésű számolásokra egyaránt szükségünk lesz. Eredményeink hasznosak lesznek a tudományos közösség számára új elméleti és kísérleti vizsgálatok végzésére egyaránt, és áttételesen hozzájárulunk az új generációs nanoelektronikai és nanooptikai eszközök kifejlesztéséhez.

A kutatás összefoglalója, célkitűzései laikusok számára
Ebben a fejezetben írja le a kutatás fő célkitűzéseit alapműveltséggel rendelkező laikusok számára. Ez az összefoglaló a döntéshozók, a média, illetve az érdeklődők tájékoztatása szempontjából különösen fontos az NKFI Hivatal számára.
A grafén kétségkívül a leghíresebb, de nem az egyetlen tagja a kétdimenziós anyagok gyorsan növekvő családjának. Ezeket az anyagokat egyetlen (vagy néhány) rétegbe rendezett atomok alkotják. Ezek a vékony és könnyű anyagok lehetnek a jövő elektronikai eszközeinek, okostelefonoknak, okosóráknak vagy szuperszámítógépeknek az építő kockái.
Az utóbbi években évente jelentik be a család újabb és újabb tagjait: például a szilicént (a grafén szilícium alapú megfelelője, 2010-ben), a germanánt (teljesen hidrogénezett germánium alapú megfelelője a grafénnek, 2013-ban), foszforén (atomi vékony fekete foszfor, 2014-ben), amiket még több új anyag követhet.

A Raman-spektroszkópia egy hasznos eszköz arra, hogy belenézzünk az anyagokba anélkül, hogy közben roncsolnánk a szerkezetüket. Olyan fontos tulajdonságait ismerhetjük meg a mintánknak, mint a szennyeződések fajtáit és sűrűségét, a minta vastagságát vagy a benne rejlő mechanikai feszültségek nagyságát - ami lehetővé teszi az anyagok és nanoszerkezetek gyártásának fejlesztését.
Az a célkitűzésünk, hogy ezen kétdimenziós anyagok Raman-spektrumának főbb jellemzőit és apróbb részeleteit kiszámoljuk és megértsük.

Rangos folyóiratokban közlendő eredményeink fontos támpontot fognak nyújtani a kísérletezők és a mérnökök számára. A projekt közvetlen eredménye ezen nanoszerkezetek alapvető tulajdonságainak leírását képezi, amely hosszú távon szolgálhat alapul modern, nanoméretű elektronikai eszközök fejlesztéséhez.

Summary

Summary of the research and its aims for experts
Describe the major aims of the research for experts.
In the past few years several new graphene-like two-dimensional materials were discovered: silicene, germanene, germanane and phosphorene. Silicene and germanene are similar to graphene, with one important difference: graphene has an atomically flat honeycomb structure, whereas silicene and germanene exhibit a sublattice buckling. Despite this difference the electronic band structure of silicene and germanene is similar to that of graphene. They all have a linear dispersion at the Fermi level with different Fermi velocities. This similarity suggests that Raman spectroscopy, which is one of the most powerful tools for the study of graphene, is expected to be very useful for the investigation of the properties of silicene and germanene as well. Germanane (hydrogenated germanene) and phosphorene, on the other hand, are semiconductors with a moderate band gap. However, Raman spectroscopy can provide different but important information to control and improve the production of these materials as well.

Our aim is to gain a clear understanding of the fundamental properties of these materials. In particular, a careful theoretical study of the Raman spectra of these materials would offer beneficial information for the scientific community and stimulate further experimental research and generate interest in the nanoelectronics industry.

What is the major research question?
Describe here briefly the problem to be solved by the research, the starting hypothesis, and the questions addressed by the experiments.
The fundamental question this project addresses is: how can Raman spectroscopy be used to characterise novel, graphene-like two-dimensional materials, in relation to potential application in electronics and optics? Raman is a proven method for the characterisation of graphene, as for example it gives information about defect concentration, the number of layers in thin film samples, or the presence of uniaxial strain. We expect the same level of use for Raman in the novel materials listed in the detailed work-plan.

We will use first principles methods and model calcualtions with fitted parameters to answer the following, specific questions during the project:

- What does the resonant and non-Resonant Raman spectrum look like in silicene, germanene, germanane, and phosphorene?
- What role do higher-order Raman processes play in these materials?
- How does the Raman spectrum evolve with an increasing number of layers in thin films?
- How do defects influence the Raman spectrum?
- How does mechanical strain affect the Raman spectrum?

What is the significance of the research?
Describe the new perspectives opened by the results achieved, including the scientific basics of potential societal applications. Please describe the unique strengths of your proposal in comparison to your domestic and international competitors in the given field.
The novel graphene-like two-dimensional materials to be studied in this project all exhibit excellent application potential in the fields of nanoscale electronics and optics. In order to realise their true potential in applied research it is imperative to understand their fundamental properties first, both experimentally and theoretically.

Raman spectroscopy is in particular a useful tool for this purpose as a non-destructive method that probes the vibrations of low-dimensional materials. It also provides information on the electronic structure through resonance effects, especially in higher order processes. In the latter case not only does the intensity change (excitation profile), but the peak position shifts with the laser excitation energy (dispersion), as a consequence of phonons with a non-zero wave number taking part in multi-phonon and defect-induced processes. The peak position and intensity of these Raman bands is heavily influenced by double resonance enhancement and electron-phonon coupling.

Our group has published numerous high-impact research results on double resonance Raman scattering in carbon nanotubes and graphene in the past fifteen years. In this project we will develop our existing theoretical methods for the prediction of Raman spectra in low-dimensional materials to make them applicable to novel two-dimensional materials. Our approach will include first principles calculations and tight-binding model calculations, where the former will be used to parametrise the latter to achieve high accuracy and predictive power.

Our results will see good use in the scientific community, in particular directly motivating new experiments in the field. We also expect these results to contribute to the development of next generation nanoelectronics and nanooptics devices from novel two-dimensional materials in the long term.

Summary and aims of the research for the public
Describe here the major aims of the research for an audience with average background information. This summary is especially important for NRDI Office in order to inform decision-makers, media, and others.
Graphene is merely one - albeit the most famous - member of the rapidly growing family of two-dimensional materials. They are often referred to as atomically thin materials, being made up of just a single layer of atoms. These thin and light materials are strong candidates to become the building blocks of future electronics devices: smartphones, smartwatches or supercomputers. In recent years novel members of this family have been reported on a yearly basis: silicene (the silicon-analog of graphene, 2010), germanane (the hydrogenated germanium-analog of graphene, 2013), phosphorene (atomically thin black phosphorus, 2014), and more are yet to come.

Raman spectroscopy is a useful tool to look into the inside of these materials without destroying the samples during the process. It can reveal the type of defects, the thickness of the sample or the strength of strain - providing important information to control and improve the production of the materials or even the nanodevices. Our goal is to calculate and unambiguously understand the main features and the fine details of the Raman spectra of these two-dimensional materials.

Our results, to be published in leading journals of the field, are expected to be an important guideline for experimentalists and engineers working with such two-dimensional materials. The direct output of our project will be a detailed understanding of the fundamental science of these novel nanomaterials, forming the basis for experimental work and device production in modern nanoscale electronics, which is the expected long-term impact of the proposed project.

Final report

Results in Hungarian

Legfontosabb eredményeink új típusú, alacsonydimenziós szerkezettel rendelkező anyagok Raman-tulajdonságaira vonatkoznak. Elsőként számítottuk ki a rezgési rezonancia Raman optikai akitivitási (RROA) spektrumát 6 királis egyfalú szén nanocsőnek. Molekuladinamikai számolásokat végeztünk ferrocén molekulákkal töltött szén nanocsövekre. Alacsony hőmérsékleten grafén szalagokat kaptunk, magasabb hőmérsékleten fullerének vagy nanocsövek képződtek – egyezésben a kísérleti eredményekkel. Rezonancia Raman vizsgálatokhoz kapcsolódó DFT számolásainkkal sikerült azonosítani szén nanocsövek belsejében megfelelő körülmények között keletkezett szén nanoszalagokat. Szoros kötésű számolásokkal meghatároztuk a belső pszeudo-mágneses teret, egyezésben a preparált feszültségmintázattal rendelkező grafénen végzett kombinált AFM és Raman mérésekkel. Modelleztük a Raman-folyamatokat szilicénben és germanénben, figyelembe véve a kvázirészecskék szórását két fonon illetve egy fonon + egy ponthiba esetén. Azonosítottuk a vizsgált anyagtól illetve a hibahelytől egyedien függő jegyeket a Raman-spektrumban. A kettős rezonancia Raman-spektrumok számításával reprodukáltuk a gyűrt grafénen mért konfokális Raman-spektrumokat. Elsőelvű számításokkal megmutattuk, hogy a MoS2 két Raman-aktív csúcsának intenzitásaránya erősen függ a rugalmas feszültségtől – ezért kiegészítő módszerként használható a mintákban lévő feszültség jellemzésére.

Results in English

Our most important results are related to Raman properties of some novel materials with low dimensional structure. We calculated for the first time the vibrational Resonance Raman Optical Activity (RROA) spectra of 6 chiral single walled carbon nanotubes. We performed molecular dynamics simulations for carbon nanotubes filled with ferrocene molecules. At lower temperatures we obtained graphene ribbons, and at higher temperatures fullerenes or nanotubes were formed – in agreement with experimental results. The combination of our calculations and an extensive wavelength-dependent Raman scattering characterization allowed the identification of nanoribbons synthesized inside carbon nanotubes. We carried out tight binding calculations to obtain the pseudo magnetic field in accordance with the combined AFM and Raman measurements on graphene with prepared local strain patterns. We modeled Raman processes in silicene and germanene involving scattering of quasiparticles by either two phonons or one phonon and one point defect. We identified features in the Raman spectra that are unique to the studied materials or the defects therein. We reproduced the measured confocal Raman spectra in crumpled graphene by calculation of the double resonant Raman spectra. We demonstrated by first principles calculations that the intensity ratio of the two Raman active peaks in MoS2 depends strongly on the strain - thus it can be used as a supplementary method to characterize strain in the samples.

Full text

https://www.otka-palyazat.hu/download.php?type=zarobeszamolo&projektid=115608

Decision

Yes

List of publications

János Koltai, Hans. Kuzmany, Thomas Pichler, Ferenc Simon: Arrayed Arrangement of 13C Isotopes During the Growth of Inner Single-Walled Carbon Nanotubes, Phys. Status Solidi B 2017, 00, 1700217 | DOI: 10.1002/pssb.201700217, 2017

G. Kukucska. J. Koltai: Theoretical Investigation of Strain and Doping on the Raman Spectra of Monolayer MoS2, Phys. Status Solidi B 2017, 00, 1700184 | DOI: 10.1002/pssb.201700184, 2017

Z. Tajkov, D. Visontai, P. Rakyta, L. Oroszlány, J. Koltai: Transport Properties of Graphene-BiTeI Hybrid Structures, Phys. Status Solidi C 2017, 00, 1700215 | DOI: 10.1002/pssc.201700215, 2017

G. Kukucska, V. Zólyomi, and J. Koltai: Characterization of epitaxial silicene with Raman spectroscopy, Phys. Rev. B 98, 075437 (2018) | DOI: 10.1103/PhysRevB.98.075437, 2018

G. Kukucska, V. Zólyomi, and J. Koltai: Resonance Raman Spectroscopy of Silicene and Germanene, J. Phys. Chem. C 123, 1995−2008 (2019) | DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b11943, 2018

Bálint Fülöp, Zoltán Tajkov, János Pető, Péter Kun, János Koltai, László Oroszlány, Endre Tóvári, Hiroshi Murakawa, Yoshinori Tokura, Sándor Bordács, Levente Tapasztó and Szabolcs Csonka: Exfoliation of single layer BiTeI flakes, 2D Mater. 5 031013 (2018) | DOI: 10.1088/2053-1583/aac652, 2018

Peter Rakyta, Asma Alanazy, Andor Kormanyos, Zoltan Tajkov, Gergo Kukucska, Janos Koltai, Sara Sangtarash, Hatef Sadeghi, Jozsef Cserti, and Colin J. Lambert: Magic Number Theory of Superconducting Proximity Effects and Wigner Delay Times in Graphene-Like Molecules, J. Phys. Chem. C, Just Accepted Manuscript | DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b11161, 2019

Ramón Cuadrado, László Oroszlány, László Szunyogh, Gino Hrkac, Roy W. Chantrell & Thomas A. Ostler: A multiscale model of the effect of Ir thickness on the static and dynamic properties of Fe/Ir/Fe films, Scientific Reports, 8, 3879 (2018) | DOI: 10.1038/s41598-018-21934-5, 2018

László Oroszlány, Balázs Dóra, József Cserti, and Alberto Cortijo: Topological and trivial magnetic oscillations in nodal loop semimetals, Phys. Rev. B 97, 205107 (2018) | DOI: 10.1103/PhysRevB.97.205107, 2018

Ramón Cuadrado, László Oroszlány, András Deák, Thomas A Ostler, Andrea Meo, Roman V Chepulskii, Dmytro Apalkov, Richard FL Evans, László Szunyogh, Roy W Chantrell: Site-Resolved Contributions to the Magnetic-Anisotropy Energy and Complex Spin Structure of Fe/MgO Sandwiches, Phys. Rev. Applied 9, 054048 (2018) | DOI: 10.1103/PhysRevApplied.9.054048, 2018

Zoltán Tajkov, Dávid Visontai, László Oroszlány, János Koltai: Uniaxial Strain Induced Topological Phase Transition in Bismuth-Tellurohalide–Graphene Heterostructures, Nanoscale 11, 12704-12711 (2019) https://doi.org/10.1039/C9NR04519H, 2019

Zoltán Tajkov, Dávid Visontai, László Oroszlány, János Koltai: Topological Phase Diagram of BiTeX–Graphene Hybrid Structures, Appl. Sci., 9(20), 4330 (2019) https://doi.org/10.3390/app9204330, 2019

Péter Kun, Gergő Kukucska, Gergely Dobrik, János Koltai, Jenő Kürti, László Péter Biró, Levente Tapasztó, Péter Nemes-Incze: Large intravalley scattering due to pseudo-magnetic fields in crumpled graphene, npj 2D Mater Appl 3, 11 (2019). https://doi.org/10.1038/s41699-019-0094-6, 2019

János Pető, Gergely Dobrik, Gergő Kukucska, Péter Vancsó, Antal A Koós, János Koltai, Péter Nemes-Incze, Chanyong Hwang, Levente Tapasztó: Moderate strain induced indirect bandgap and conduction electrons in MoS 2 single layers, npj 2D Mater Appl 3, 39 (2019). https://doi.org/10.1038, 2019

Zoltán Tajkov, János Koltai, József Cserti, and László Oroszlány: Competition of topological and topologically trivial phases in patterned graphene based heterostructures, Phys. Rev. B 101, 235146, DOI:https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.235146, 2020

Konrád Kandrai, Péter Vancsó, Gergő Kukucska, János Koltai, György Baranka, Ákos Hoffmann, Áron Pekker, Katalin Kamarás, Zsolt E. Horváth, Anna Vymazalová, Levente Tapasztó, and Péter Nemes-Incze: Signature of Large-Gap Quantum Spin Hall State in the Layered Mineral Jacutingaite, Nano Lett. 20:7 5207–5213 (2020) https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c01499, 2020

Hans Kuzmany, Lei Shi, Miles Martinati, Sofie Cambré, Wim Wenseleers, Jenő Kürti, János Koltai, Gergő Kukucska, Kecheng Cao, Ute Kaiser, Takeshi Saito, & Thomas Pichler: Well-defined sub-nanometer graphene ribbons synthesized inside carbon nanotubes, Carbon 171, 221-229 (2021) DOI: https://doi.org/10.1016/j.carbon.2020.08.065, 2021

Nagy Péter, Koltai János, Surján Péter, Kürti Jenő, Szabados Ágnes: Resonance Raman Optical Activity of Single Walled Chiral Carbon Nanotubes, J PHYS CHEM A 120: 5527-5538 | https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpca.6b04594, 2016

Koltai J, Mezei G, Zólyomi V, Kürti J, Kuzmany H, Pichler T, Simon F: Controlled Isotope Arrangement in 13C Enriched Carbon Nanotubes, J PHYS CHEM C 120: (51) 29520-29524 | https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpcc.6b11367, 2016

Nemes-Incze P, Kukucska G, Koltai J, Kurti J, Hwang C, Tapaszto L, Biro LP: Preparing local strain patterns in graphene by atomic force microscope based indentation, SCI REP 7: Paper 3035. 7 p. | DOI:10.1038/s41598-017-03332-5, 2017

Kuzmany H, Shi L, Kurti J, Koltai J, Chuvilin A, Saito T, Pichler T: The growth of new extended carbon nanophases from ferrocene inside single-walled carbon nanotubes, PHYS STATUS SOLIDI-R 11: (8) Paper 1700158. | DOI 10.1002/pssr.20170015, 2017

László I, Gyimesi B, Koltai J, Kürti J: Molecular Dynamics Simulation of Carbon Structures Inside Small Diameter Carbon Nanotubes, PHYS STAT SOL B BASIC RES 254: (11) Paper 1700206. 5 p. | DOI: 10.1002/pssb.201700206, 2017

G. Kukucska. J. Koltai: Theoretical Investigation of Strain and Doping on the Raman Spectra of Monolayer MoS2, Phys. Status Solidi B 2017, 00, 1700184 | DOI: 10.1002/pssb.201700184, 2017

G. Kukucska, V. Zólyomi, and J. Koltai: Characterization of epitaxial silicene with Raman spectroscopy, Phys. Rev. B 98, 075437 (2018) | DOI: 10.1103/PhysRevB.98.075437, 2018

G. Kukucska, V. Zólyomi, and J. Koltai: Resonance Raman Spectroscopy of Silicene and Germanene, J. Phys. Chem. C 123, 1995−2008 (2019) | DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b11943, 2018

Peter Rakyta, Asma Alanazy, Andor Kormanyos, Zoltan Tajkov, Gergo Kukucska, Janos Koltai, Sara Sangtarash, Hatef Sadeghi, Jozsef Cserti, and Colin J. Lambert: Magic Number Theory of Superconducting Proximity Effects and Wigner Delay Times in Graphene-Like Molecules, J. Phys. Chem. C, 123 , 11, 6812-6822 (2019) https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpcc.8b11161, 2019

Koltai J, Mezei G, Zólyomi V, Kürti J, Kuzmany H, Pichler T, Simon F: Controlled Isotope Arrangement in 13C Enriched Carbon Nanotubes, J PHYS CHEM C 120: (51) 29520-29524, 2016

Nagy Péter, Koltai János, Surján Péter, Kürti Jenő, Szabados Ágnes: Resonance Raman Optical Activity of Single Walled Chiral Carbon Nanotubes, J PHYS CHEM A 120: 5527-5538, 2016

Péter Nemes – Incze, Gergő Kukucska, János Koltai, Jenő Kürti, Chanyong Hwang, Levente Tapasztó, and Laszló P. Biró: Preparing local strain patterns in graphene by atomic force microscope based indentation, arXiv:1702.04991v1, 2017

Events of the project

2020-09-18 15:29:56

Résztvevők változása

2019-10-14 15:22:59

Résztvevők változása

2019-01-09 10:43:43

Résztvevők változása

2017-08-22 15:40:29

Résztvevők változása

Back »