Zhe origin of electronic noise in semiconductor sensors
zsűri
Informatikai–Villamosmérnöki
Kutatóhely
MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet
résztvevők
Fürjes Péter Gottwald Péter Rakovics Vilmos
projekt kezdete
2002-01-01
projekt vége
2005-12-31
aktuális összeg (MFt)
14.280
FTE (kutatóév egyenérték)
0.00
állapot
lezárult projekt
Zárójelentés
kutatási eredmények (magyarul)
A projekt támogatásának felhasználásával létrehoztunk egy alacsonyfrekvenciás zaj mérésére alkalmas laboratóriumot. A fő műszer az SR785 spektrum analizátor.
Szenzor anyagok és szenzorok zajtulajdonságait vizsgáltuk. A zajmérések segítségével értelmeztük a porózus Si áramvezetési mechanizmusát. Zaj szempontból optimalizáltuk az PbS fotóellenállás technológiáját. Megállapítottuk, hogy az ion-implantantált piezo-ellenállások zaja kritikusan függ az ellenállás-hordozó közti p-n átmenet záróirányú áramától. Vizsgáltuk a szenzorok zaja miatti elvi alkalmazási korlátozásokat. Rendszeresen szerepeltünk a Fluctuation and Noise Symposium-on. Számos fiatal kutatót és gyakornokot vontunk be a munkákba.
kutatási eredmények (angolul)
Low-frequency electrical noise measuring set up has been built due to the financial support of the project. The main instrument is the SR785 dual channel dynamic signal analyser.
The noise characteristics of sensors and sensor materials were investigated. The current conduction mechanisms in porous Si were interpreted taking into account the noise. The technology of PbS photo resistor was optimised in respect the noise. It was pointed out that the noise in ion-implanted pieso-resistor depends critically on the reverse current of the p-n junction between the resistor and the substrate. The noise limitations of the figures of merits of sensors were also investigated.
Papers were presented in each year on the Fluctuation and Noise Symposium. Numerous young scientists and trainees were involved in the work.
Béla Szentpáli, Péter Gottwald, Tibor Mohácsy, Kund Molnár and István Bársony: Low-frequency noise in porous Si LED, Proceedings of SPIE Vol. 5113 Noise in Devices and Circuits, edited by M. Jamal Deen, Zeynep Celik-Butler, Michael E. Levinstein, (SPIE, Belingham, WA) pp. 398-405, 2003
Gottwald Péter, Szentpáli Béla: Alacsony frekvenciás zajmérések (lfn) félvezető-technológiai passziválások vizsgálatára, Hiradástechnika, LVIII. pp. 30-36, 2003/2, 2003
Péter Gottwald and Béla Szentpáli: Low-frequency Noise Measurements for Investigating Passivation Methods Applied for Semiconductors, Hiradástechnika, LVIII. pp. 40-46, 2003
Béla Szentpáli: Noise in solid-state sensors, Proceedings of SPIE Vol. 5472 Noise and information in Nanoelectronics, Sensors and Standards II, edited by Janusz M. Smulko, Yaroslav Blanter, Mark I. Dykman and Laszlo, 2004
Béla Szentpáli and Vilmos Rakovics: Noise in PbS IR Photoconductors, Proceedings of SPIE Vol. 5472 Noise and information in Nanoelectronics, Sensors and Standards II, edited by Janusz M. Smulko, Yaroslav Blanter, Mark I. Dykman and Laszlo, 2004
Béla Szentpáli, Tibor Mohácsy and István Bársony: Anomalous Bias Dependence of the Noise in Porous Si LED, Fluctuation and Noise Letters Vol.4. No. 2. pp. L355-L364, 2004
Béla Szentpáli, Mária Ádám and Tibor Mohácsy: Noise in piezoresistive Si pressure sensors, Proceedings of SPIE Vol. 5846 Noise and Information in Nanoelectronics, Sensors and Standards III., pp. 169-179, 2005
H. Nam, H-S. Yang, J. Lee, A. Chover, B. Szentpáli and E. Kim: Low-frequency Noise Parameter Extraction in Poly-Si Thin Film Transistors, Proceedings of SPIE Vol. 5844 Noise in Devices and Circuits, pp. 200-207, 2005
B. Szentpáli, T. Mohácsy and I. Bársony: Conduction Mechanisms in Porous Si LEDs, Current Applied Physics 6 pp. 174-178, 2006
